表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
B（最低）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 50 mA）的
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 90伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 640
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 100 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.58 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.2
58
340
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.0
2.0
0.1
1.8
2.4
0.25
2.7
3.0
0.3
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
120
—
—
—
—
—
—
1
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 250 W峰值（ 25瓦平均） ， F = 1300 MHz的
脉冲， 200
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
G
ps
η
D
IRL
21.5
53.5
—
—
—
—
22.7
57.0
--18
21.0
55.0
--17
24.0
—
--9
—
—
—
dB
%
dB
dB
%
dB
典型性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 10毫安， P
OUT
= 230 W¯¯ CW ， F = 1300兆赫，T
C
= 25°C
负载不匹配
（在飞思卡尔应用测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 250 W峰值（ 25瓦的魅力。 ）
F = 1300 MHz的脉冲， 200
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
驻波比10 ： 1 ，在所有相位角
1.部分内部输入匹配。
Ψ
在输出功率不降低
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
