飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S21170H
启5 ， 4/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2110到
2170兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类用于PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
•
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1400毫安，P
OUT
= 50瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 16分贝
漏极效率 - 31 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
•
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 170瓦CW
输出功率
•
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
170瓦CW
特点
•
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
内部匹配的易用性
•
集成ESD保护
•
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
•
优化的Doherty应用
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF7S21170HR3
MRF7S21170HSR3
2110年至2170年兆赫， 50瓦AVG ， 28 V 。
单W¯¯ - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF7S21170HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF7S21170HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 〜+ 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80C ， 170瓦CW
外壳温度73C ， 25瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.31
0.36
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
©
飞思卡尔半导体公司， 2006-2008 。版权所有。
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
