飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD7IC21100N
第2版， 2/2012
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD7IC21100N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可用2110至2170年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制格式，包括TD - SCDMA 。
•
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1A
+
I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925毫安，P
OUT
= 32瓦平均，
F = 2167.5兆赫， IQ幅度裁剪，信道带宽= 3.84 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 28.5分贝
功率附加效率 - 30 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - --38 dBc的在3.84 MHz信道带宽
•
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫，P
OUT
= 110瓦CW
从额定P （3 dB输入过载
OUT
)
•
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺下面--60 dBc的@ 1毫瓦到100瓦CW
P
OUT
.
•
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
≃
110瓦CW
特点
•
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源S参数
•
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，在每面的基础上，直流阻塞）
•
内部匹配的易用性
•
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
•
集成ESD保护
•
225℃有能力塑料包装
•
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
MD7IC21100NR1
MD7IC21100GNR1
MD7IC21100NBR1
2110-
-2170兆赫， 32瓦平均， 28 V
单W-
-CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1618-
-02
TO -
WB- -270
-14
塑料
MD7IC21100NR1
CASE 1621-
-02
TO -
WB- -270
-14 GULL
塑料
MD7IC21100GNR1
CASE 1617-
-02
TO -
WB- -272
-14
塑料
MD7IC21100NBR1
V
DS1A
RF
INA
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
RF
INB
V
DS1B
RF
out1
/V
DS2A
静态电流
温度补偿
(1)
静态电流
温度补偿
(1)
RF
out2
/V
DS2B
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
NC
RF
INA
NC
NC
RF
INB
NC
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
out1
/V
DS2A
13
RF
out2
/V
DS2B
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
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MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
1
RF设备数据
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