典型特征
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
C
RSS
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
C，电容（pF ）
100
10
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25°C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
图4.电容与漏极 -
- 源电压
10
9
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
2.25 V
120
22
10
2.5 V
2.63 V
2.75 V
G
ps
，功率增益（分贝）
V
GS
= 3 V
28
27
26
25
24
23
图5.直流安全工作区
I
DQ
= 1350毫安
1125毫安
900毫安
650毫安
450毫安
V
DD
= 50伏直流
F1 = 220 MHz的
100
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
600
漏极电压（伏）
图6.直流漏电流与漏极电压
--15
IMD ，三阶互调
失真（ DBC）
60
图7. CW功率增益与输出功率
V
DD
= 50伏直流电， F1 = 220兆赫， F2 = 220.1兆赫
--20两个 - 音频测量， 100 kHz音调间距
--25
--30
--35
--40
--45
I
DQ
= 450毫安
900毫安
650毫安
1125毫安
P
OUT
，输出功率（dBm ）
P3dB = 55.76 dBm的（ 377 W）
58
的P1dB = 55.04 dBm的（ 319 W）
56
54
52
50
24
理想
实际
--50
--55
1
10
1350毫安
100
600
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安
F = 220 MHz的
26
28
30
32
34
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
in
输入功率（dBm ）
图8.三阶互调失真
与输出功率
图9. CW输出功率与输入功率
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
