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    ATC100B820JT500XT 参数 Datasheet PDF下载

    ATC100B820JT500XT图片预览
    型号： ATC100B820JT500XT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
    文件页数/大小： 19 页 / 1190 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号ATC100B820JT500XT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ATC100B820JT500XT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ATC100B820JT500XT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ATC100B820JT500XT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ATC100B820JT500XT的Datasheet PDF文件第9页浏览型号ATC100B820JT500XT的Datasheet PDF文件第10页浏览型号ATC100B820JT500XT的Datasheet PDF文件第11页浏览型号ATC100B820JT500XT的Datasheet PDF文件第12页  
    Z
    来源
    F = 220 MHz的
    Z
    o
    = 5
    Ω
    Z
    负载
    F = 220 MHz的
    V
    DD
    = 50伏直流，我
    DQ
    = 900毫安， P
    OUT
    = 300瓦CW
    f
    兆赫
    220
    Z
    来源
    Ω
    1.23 + j3.69
    Z
    负载
    Ω
    2.43 + j2.04
    Z
    来源
    通过测量=测试电路的阻抗
    栅极接地。
    Z
    负载
    测量=测试电路的阻抗
    从漏极到地。
    设备
    下
    TEST
    产量
    匹配
    网
    输入
    匹配
    网
    Z
    来源
    Z
    负载
    图15.系列等效源和负载阻抗 - 220兆赫
    MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
    8
    RF设备数据
    飞思卡尔半导体公司

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