表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 (2001--4000 V)
B（ 201--400 V）
四， （ >1000 V）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 50 mA时， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 350 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.5 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(1)
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
41
65.4
591
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
2.0
—
1.6
2.7
0.2
2.4
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
115
—
—
—
—
—
—
0.5
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（在飞思卡尔的DVB - T的窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 18瓦平均，
F = 860 MHz的DVB - T（ 8K OFDM）单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移@ 4 kHz的带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21.0
27.5
—
—
22.0
28.5
--62.0
--14
24.0
—
--60.0
--9
dB
%
dBc的
dB
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
