飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF8S9102N
第0版， 2/2011
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从865到
960兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型的蜂窝基站
站调制格式。
•
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
750毫安，P
OUT
= 28瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
G
ps
（ dB）的
23.1
23.1
22.8
η
D
(%)
36.4
36.4
36.6
PAR输出
（ dB）的
6.3
6.2
6.1
ACPR
（ DBC）
--35.5
--36.1
--35.8
MRF8S9102NR3
865-
-960兆赫， 28瓦平均， 28 V
单W-
-CDMA
横向N-
声道
RF功率MOSFET
•
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 940兆赫， 144瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
） ，专为
增强耐用性
•
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
≃
100瓦CW
880兆赫
•
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
750毫安，P
OUT
= 28瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
865兆赫
880兆赫
895兆赫
G
ps
（ dB）的
22.9
23.0
22.8
η
D
(%)
35.4
35.5
35.6
PAR输出
（ dB）的
6.4
6.2
6.0
ACPR
（ DBC）
--34.7
--35.1
--35.7
CASE 2021-
-03 ，风格1
OM-
-780-
-2
塑料
特点
•
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
•
内部匹配的易用性
•
集成ESD保护
•
更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作
•
专为数字预失真纠错系统
•
优化的Doherty应用
•
225℃有能力塑料包装
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单元，32毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
©
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MRF8S9102NR3
1
RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
