表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度83 ° C， 300瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.24
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 150毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 800
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 900 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.8
105
304
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
1.9
—
1.65
2.7
0.25
2.4
3.4
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
50
2.5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300 W， F = 450 MHz的CW
G
ps
η
D
IRL
20
58
—
22
60
--16
24
—
--9
dB
%
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注意： MRF6V4300N和MRF6V4300NB高功率器件和特殊注意事项
必须遵循的电路板设计和安装。不正确的安装可能导致内部温度，这
超过允许的最大工作结温。请参阅飞思卡尔应用笔记AN3263
（螺栓向下安装）或AN1907 （回流焊接安装）
启动前系统设计
to
确保这些设备的正确安装。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
