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ATC100B120JT500XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100B120JT500XT图片预览
型号: ATC100B120JT500XT
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内容描述: 射频功率场效应晶体管 [RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 15 页 / 569 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
3A (最低)
A(最小)
IV (最低)
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 66伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 200
μA)
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流,我
D
= 350 MADC ,测量功能测试)
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 1.0 ADC)
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输入电容
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏
±
30毫伏( RMS) AC @ 1兆赫)
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
1.02
27
81
pF
pF
pF
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
1
2.3
0.05
2
3.1
0.23
3
3.8
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
10
1
10
μAdc
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 350毫安, P
OUT
= 10瓦的魅力, F = 880 MHz的单 - 载波
N - CDMA , 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
kHz偏置。 PAR = 9.8分贝
@ CCDF上0.01 %的概率
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21
30.5
22.1
32
- 46
- 19
25
- 44
-9
dB
%
dBc的
dB
(续)
MRFE6S9045NR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司