飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6VP61K25H
第4版，二千零一十三分之三
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
这些高耐用性设备被设计用于高电压驻波比工业用
（包括激光和等离子体激励器） ，广播（模拟和数字） ，航空航天
和无线电/陆地移动应用程序。他们是无与伦比的输入和输出
设计允许较宽的频率范围内使用， 1.8至600兆赫。
典型性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 100毫安
信号类型
脉冲
(100
微秒，
20 ％占空比）
CW
P
OUT
(W)
1250峰值
1250 CW
f
（兆赫）
230
230
G
ps
（ dB）的
24.0
22.9
D
(%)
74.0
74.6
MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HSR5
MRFE6VP61K25GSR5
1.8-
-600兆赫， 1250 W¯¯ CW ， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
应用电路
(1)
- 典型性能
频率
（兆赫）
27
40
81.36
87.5--108
144--148
170--230
352
信号类型
CW
CW
CW
CW
CW
DVB - T的
脉冲
(200
微秒，
20 ％占空比）
CW
CW
P
OUT
(W)
1300
1300
1250
1100
1250
225
1250
G
ps
（ dB）的
27
26
27
24
26
25
21.5
D
(%)
81
85
84
80
78
30
66
NI-
-1230-
-4S
MRFE6VP61K25HSR5
NI-
-1230-
-4H
MRFE6VP61K25HR6
352
500
1150
1000
20.5
18
68
58
1.请联系您当地的飞思卡尔销售办事处的具体信息，
电路设计。
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
230
信号类型
脉冲
(100
微秒，
20%
占空比）
VSWR
>65 ： 1 ，在所有
相位角
P
OUT
(W)
1500峰值
（ 3分贝
OVERDRIVE ）
TEST
电压
50
结果
没有设备
降解
NI-
-1230-
-4S GULL
MRFE6VP61K25GSR5
特点
无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率
设备可用于单 - 端或在一个推 - 拉配置
合格高达50伏的最大
DD
手术
从30 V特点，以50 V的扩展功率范围
适用于线性与适当的偏置应用
集成ESD保护与较大的负面栅 - 源电压范围
为提高C类操作
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R6后缀= 150个单位，56个毫米磁带宽度， 13 - 英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13 - 英寸的卷轴。
门A 3
1漏极的
B门4
2漏B
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2010--2013 。版权所有。
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
