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ATC100B300JT500XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100B300JT500XT图片预览
型号: ATC100B300JT500XT
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内容描述: 射频功率场 - 效果晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field--Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 18 页 / 1498 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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Z
来源
F = 220 MHz的
Z
o
= 10
Z
负载
F = 220 MHz的
V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 450毫安,P
OUT
= 150瓦CW
f
兆赫
220
Z
来源
2.45 + j6.95
Z
负载
3.90 + j5.50
Z
来源
通过测量=测试电路的阻抗
栅极接地。
Z
负载
通过测量=测试电路的阻抗
漏到地面。
设备
TEST
产量
匹配
输入
匹配
Z
来源
Z
负载
图14.系列等效源和负载阻抗 - 220兆赫
MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
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