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ATC100B0R6BT500XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100B0R6BT500XT图片预览
型号: ATC100B0R6BT500XT
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管 [RF Power LDMOS Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 15 页 / 437 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
案例工作温度范围
工作结温范围
(1,2)
CW操作@ T
C
= 25C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
CW
价值
--0.5, +65
--6.0, +10
32, +0
--65到150
--40到150
--40到225
163
0.79
单位
VDC
VDC
VDC
C
C
C
W
W / ℃,
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度80C , 50瓦CW , 28伏直流电,我
DQ
= 1500毫安, 2110兆赫
外壳温度86C , 140瓦特CW
(4)
, 28伏直流,我
DQ
= 1500毫安, 2110兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.43
0.38
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
2
B
IV
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 291
μAdc )
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流,我
D
= 1500 MADC ,测量功能测试)
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 3.7 ADC)
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
1.5
2.2
0.1
2.0
2.7
0.2
2.5
3.2
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(5)
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 1500毫安, P
OUT
= 50瓦的魅力。 , F = 2110兆赫,
单 - 载波W - CDMA , IQ幅度裁剪,输入信号PAR = 9.9分贝@ CCDF上0.01 %的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 %的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
D
PAR
ACPR
IRL
16.0
29.0
6.7
16.7
30.5
7.2
--35.7
--19
19.0
--34.0
--10
dB
%
dB
dBc的
dB
在最高温度1,连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。选择
文档/应用笔记 - AN1955 。
4.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
5.部分内部对输入和输出匹配两种。
(续)
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司