飞思卡尔半导体公司
应用说明
AN3100
第0版， 2005年3月
通用放大器偏置
由：杰夫Gengler
飞思卡尔半导体公司
介绍
飞思卡尔半导体的通用放大器
（GPA）的设备都被设计成从一个单一的操作
正电压电源。的平均成绩有输出功率
从12到34 dBm的。他们目前正在设计
三种不同的电路技术：
•
达林顿对
•
分立与集成的电流镜
•
场效应晶体管（ FET），在零栅电压下工作
漏极漏电流（I
DSS
)
并使用两种不同的设备技术：
•
磷化镓铟异质结双极
晶体管（ InGaP HBT的）
•
砷化镓异质结场效应晶体管（ HFET ）
对于不同的电路所需要的偏置方法
计划在本应用笔记描述。
GPA电路设计方法
飞思卡尔的InGaP异质结双极晶体管使用的是两个一设计
不同的电路方式。低功耗的GPA （ P1dB为12
到24 dBm的）是使用一个达林顿对（图1）而设计的。该
当电压被施加到所述达林顿对被偏置
集电极分立器件Q1和Q2的。电阻器R1用来
用于放大器的，但负反馈也是部
分压器R2建立在Q1的基极偏压。
V
供应
R6
HBT器件的电流 - 驱动;因此，飞思卡尔
建议设计人员使用一个恒定电流源
尽量减少在电源电压的变化和移位在冲击
温度的运行环境。从偏差
最佳电流可影响这两个功率和线性
性能。电压源之间串联一个电阻
与达林顿的收藏家是模拟最简单的方法
一个恒定电流源（R 6中的图1） 。这是必要的
在MMG3001NT1 ， MMG3002NT1和MMG3003NT1
设备。
因为达林顿对的RF输出也被用于
对于DC偏置， RF扼流圈是必须的（ L1）的连接
电压供给到输出端。 RF耦合电容器也可
需要在RF输入和RF输出，因为输入
和设备的输出被DC耦合。
由于这些前三个设备的发布，飞思卡尔
开发了一种方法，以消除对外部
电阻，以及使设备直接从一个操作
正5伏电源。这种方法具有特殊的电流
温度稳定性，并具有正在申请的专利。所有
达林顿HBT产品除外的
MMG3001NT1 ， MMG3002NT1和MMG3003NT1使用此
的方法（图2） 。
V
供应
V
CC
RF
输入
C1
L1
R1
Q1
R2
R3
R4
Q2
R5
C2
C3
RF
产量
V
CC
RF
输入
C1
L1
R1
Q1
R2
R4
Q2
R5
C2
C3
RF
产量
封装器件
R3
图2.改进的达林顿对的InGaP HBT
偏置方案
封装器件
图1.达林顿对的InGaP HBT的偏置方案
AN3100
1
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