飞思卡尔半导体公司
应用说明
AN1955
第0版， 1/2004
热测量方法
射频功率放大器
按：马里Mahalingam和爱德华母马
介绍
本文档介绍了使用方法
飞思卡尔高功率射频热计量（收音机
频率）功率放大器（ RFPA ） 。半导体器件
可靠性在很大程度上取决于设备的工作温度，以便
这些高功率的精确热特性
设备是在建立系统的可靠性至关重要
使用这样的设备。
程序所使用的红外线显微镜。发射率
校正程序推荐的红外显微镜
制造商是无效的，在补偿
硅的半透明性质[1] 。随着红外显微镜
过程中，最大的模具表面温度（ “热点” ）
在测量场可以位于。热点
温度被选择为模头温度（T
J
）热
阻力
(θ
JC
） 。热阻计算，所得结果
后面描述。
模具表面温度（T
J
)
测量
红外（IR）显微镜被用于确定模
表面温度（T
J
）放大器操作过程中。因为
此IR测定方法需要在模具的直接视图
的保护性陶瓷盖被移除并以一取代
改性盖具有一个开口，以查看裸片。如果是
包覆成型的塑料封装，在模具的中心部分
化合物被蚀刻掉，直到模具充分地暴露出来。
因为从设备的热流到散热片是
通过传导为主，所造成的测量误差
除去盖子或周围除去铸模复合物的
模具表面是可以忽略不计。暴露的管芯上涂敷
高发射率涂层（见附录），得到一个固定的
红外热辐射的测量值。这种涂层
极大地提高了IR测定的准确性
因为它消除了对任何发射率校正
模具温度（T
J
）测
红外显微镜
外壳温度（T
C
）测量
外壳温度（T
C
）的包被测量
一个0.020 “直径的不锈钢护套热电偶（类型
D];欧米茄一部分＃ JMQSS- 020G - 12 ）被安装在该
散热器射频电路的。它是从底部安装和
突出穿过所述安装界面与接触
封装的底部表面（图1） 。 A“直径0.032
孔穿过所述电路散热器钻出，以允许
热电偶通道。这个小孔提供了最小
扰动的热流通路和接口的完整性。该
根据它的灵敏度选择热电偶模型
加之优良的耐久性。弹簧机制
加到热电偶，以保证恒定的机械
与凸缘的底侧接触。该安置
该热电偶居中相对于最中心的积极
晶体管的封装（图2）。
4有源芯片
DIE
包
散热器
©
飞思卡尔半导体公司， 2004年， 2006年。保留所有权利。
RF应用信息
飞思卡尔半导体公司
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外壳温度（T
C
）测得春季 -
装热电偶进行直接联系
热电偶中心相对于
在包装正中间有源芯片
图1.外壳温度测量
图2.热电偶的定位
AN1955
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
