飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： AFT21S230S_232S
牧师0 ，二千〇一十二分之一十
RF功率LDMOS晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
这些50瓦特RF功率LDMOS晶体管设计用于蜂窝基站
站应用领域涵盖了2110的频率范围为2170兆赫。
•
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1500毫安， P
OUT
= 50瓦平均，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
频率
2110兆赫
2140兆赫
2170兆赫
G
ps
（ dB）的
16.7
17.0
17.2
η
D
(%)
30.5
31.0
31.8
PAR输出
（ dB）的
7.2
7.1
7.0
ACPR
（ DBC）
--35.7
--35.4
--34.8
IRL
（ dB）的
--19
--20
--15
AFT21S230SR3
AFT21S232SR3
2110-
-2170兆赫， 50瓦平均， 28 V
特点
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更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作
专为数字预失真纠错系统
优化的Doherty应用
NI - 780S - 6 ： R3后缀= 250单元，32毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
NI - 780S - 2 ： R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 18 。
北卡罗来纳州1
6 VBW
RF
in
/V
GS
2
5 RF
OUT
/V
DS
北卡罗来纳州3
（ TOP VIEW ）
4 VBW
NI-
-780S-
-6
AFT21S230S
图1.引脚连接
RF
in
/V
GS
2
1 RF
OUT
/V
DS
（ TOP VIEW ）
NI-
-780S-
-2
AFT21S232S
图2.引脚连接
©
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
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飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
