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9C12063A10R0FKHFT 参数 Datasheet PDF下载

9C12063A10R0FKHFT图片预览
型号: 9C12063A10R0FKHFT
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内容描述: 射频功率场效应晶体管 [RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 16 页 / 808 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +70
--6.0, +10
32, +0
--65到150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度81 ° C, 28瓦CW , 28伏直流电,我
DQ
= 750毫安, 880兆赫
外壳温度80 ° C, 100瓦CW , 28伏直流电,我
DQ
= 750毫安, 880兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.63
0.58
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
2 (最小)
A(最小)
IV (最低)
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 400
μAdc )
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流,我
D
= 750 MADC )
夹具门静态电压
(4)
(V
DD
= 28伏直流,我
D
= 750 MADC ,测量功能测试)
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 1.7 ADC)
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
GG ( Q)
V
DS ( ON)
1.5
4.6
0.1
2.3
3.1
6.2
0.2
3.0
7.6
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
在最高温度1,连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4. V
GG
= 2× V
GS ( Q)
。参数测量飞思卡尔测试夹具,由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
(续)
MRF8S9102NR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司