飞思卡尔半导体公司
超前信息
文档编号： MM908E625
REV 7.0 ， 9/2010
综合四半H桥
带电源，嵌入式
微控制器和LIN串行
通讯
该908E625是一个集成的单封装解决方案，包括
高性能HC08微控制器与
SMARTMOS
TM
类似物
控制IC 。该HC08包括闪存存储器，定时器，增强型
串行通信接口（ ESCI ） ，模拟至数字
转换器（ADC ） ，串行外围设备接口（SPI） （仅内部） ，并
一个内部时钟发生器（ ICG ）模块。模拟控制芯片
提供全面保护H桥/高侧输出，电压调节器，
独立看门狗与循环唤醒，和本地互连
网络（ LIN）物理层。
单封装解决方案，加上LIN ，提供最佳
应用程序性能调整和节省空间的PCB设计。
它非常适合用于汽车反射镜，门锁的控制，并
光练级的应用程序。
特点
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高性能M68HC908EY16核心
片上16K字节Flash存储器& 512字节的RAM
内部时钟发生器模块
2个16位， 2通道定时器
10位模拟数字转换器
LIN物理层
自治区看门狗与循环唤醒
三个两针霍尔效应传感器输入端口
一个模拟输入与开关电流源
四低RDS （ ON ）半桥输出
一个低RDS （ ON）高边输出
13微控制器的I / O
无铅封装用后缀代码EK指定
3
LIN
VREFH
VDDA
EVDD
VDD
VREFL
VSSA
EVSS
VSS
RST
RST_A
IRQ
IRQ_A
SS
PTB1/AD1
RXD
PTE1/RXD
PTD1/TACH1
FGEN
BEMF
PTD0/TACH0/BEMF
VSUP
908E625
用H桥功率电源
嵌入式微控制器和LIN
DWB后缀
EK后缀（无铅）
98ARL105910
54 -PIN SOICWB -EP
订购信息
设备
MM908E625ACDWB
MM908E625ACEK
温度
范围（T
A
)
-40 ° C至85°C
包
54 SOICW
EP
908E625
HB1
M
HB2
HB3
HB4
HS
高边
产量
HVDD
H1
H2
H3
PA1
端口A的I / O
端口B的I / O
端口C的I / O
内部切换
V
DD
产量
三
2 ，终端霍尔效应
传感器输入
模拟量输入，
电流源
微控制器
端口
M
M
4半桥
控
3负载
GND
2
EP
图1. 908E625简化应用图
*本文件包含一个新的产品信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
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