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908E621_08 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 908E621_08
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内容描述: 综合四半桥和三重高压侧与嵌入式微控制器和LIN高端镜 [Integrated Quad Half-bridge and Triple High Side with Embedded MCU and LIN for High End Mirror]
分类和应用: 微控制器高压
文件页数/大小: 65 页 / 1017 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MM908E621
修订版5.0 , 6/2008
综合四半桥
三重高压侧与嵌入式
微控制器和LIN高端
该908E621是一个集成的单封装解决方案
包括一个高性能HC08微控制器与
SMARTMOS
TM
模拟控制IC 。该HC08包括闪存,
一个计时器,增强型串行通信接口( ESCI ) ,一个10位
模拟 - 数字转换器(ADC ) ,串行外围接口(SPI)
(仅内部) ,和一个内部时钟发生器模块( ICG) 。该
模拟控制芯片提供四个半桥和三个高侧
带诊断功能的输出,一个霍尔效应传感器输入,模拟
输入,电压调节器,窗口看门狗和局部互连
网络( LIN)物理层。
在单一封装解决方案,加上LIN ,提供最佳
应用程序性能调整和节省空间的PCB设计。
它非常适合用于汽车的高端反射镜的控制。
特点
高性能M68HC908EY16核心
16K字节的片上闪存, 512字节的RAM
2个16位, 2通道定时器
LIN物理层接口
自治区MCU看门狗/ MCU监督
一个模拟输入与开关电流源
四低RDS ( ON )半桥输出
三低RDS ( ON)的高侧输出
唤醒和2/ 3针霍尔效应传感器输入
12单片机的I / O
>22µF
100nF
908E621
QUAD半桥和三高侧
开关带嵌入式MCU和LIN
DWB后缀
98ASA10712D
54引脚SOICW -EP
订购信息
设备
MM908E621ACDWB/R2
温度
范围(T
A
)
-40 ° C至85°C
54 SOICW -EP
LIN
VSUP [1: 8]
L0
唤醒输入
VDDA / VREFH
EVDD
VDD
4,7µF
100nF
HB1
HB2
M
M
4个半桥输出
VSSA / VREFL
EVSS
VSS
RST_A
RST
IRQ_A
IRQ
PTA0/KBD0
PTA1/KBD1
PTA2/KBD2
PTA3/KBD3
PTA4/KBD4
PTB3/AD3
PTB4/AD4
PTB5/AD5
PTC2/MCLK
PTC3/OSC2
PTC4/OSC1
HB3
M
HB4
HS1
HS2
HS3
高侧输出1
高边输出2
高侧输出的3
μC PORTA
μC端口B
μC端口C
内部连接
HVDD
A0
A0CST
H0
切换5V输出
模拟输入与电流源
模拟输入电流源装饰
2- / 3-针霍尔传感器输入
拉至地为用户模式
μC PORTD
内部连接
PTD0/TACH0
PTD1/TACH1
PTE1/RxD
GND [1: 4]
EP
μC门
TESTMODE
图1. 908E621简化应用图
飞思卡尔半导体公司保留随时更改细节规格的权利,
视需要而定,以允许改善其产品的设计。
©飞思卡尔半导体公司, 2007-2008 。版权所有。