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FDC638APZ

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-4.5A,43mΩ
PC脉冲光电二极管晶体管
0 ONSEMI

GRM2162C1H392JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCG1885G1H681JA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM188R71C105KA12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GA342QR7GD101KW01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GRM033C80J333KE01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM219R11H113JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

TLF80511TC

TLF80511TC 是一款线性低压差稳压器,适用于具有固定输出电压(5V 和 3.3V),负载电流高达 400 mA 的 D²PAK、DPAK 和 DSO8-EP 封装。高达 40V 的输入电压调节为 V Q,nom 为 5V,精度为±2%。 TLF80511TC 的典型静态电流为38μA,对于需要极低工作电流的系统来说,它就是理想的解决方案,例如永久连接电池的系统。当输出电流小于 100mA 时,它具有 100mV 的极低压差。此外,压差区域始于输入电压为 3.3 V 时(扩展操作范围)。因此,TLF80511 适用于汽车系统。此外,TLF80511TC 的新型快速调节理念仅需一个 1μF 的输出电容即可保持电压稳定。
电池稳压器
0 INFINEON

GCE188R71E473KA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

BZX84C11VLYFH

BZX84C11VLYFH是适用于恒定电压控制用途的齐纳二极管。采用非常普遍的SOT-23封装,容易进行设计。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
二极管齐纳二极管
0 ROHM

GMA085B11A683KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM155R71H182JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

PMX100UNE

20 V, N-channel Trench MOSFETProduction
暂无信息
0 NEXPERIA

GRM319R72A821JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

IMZA120R020M1H

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
0 INFINEON