文档修订历史记录
版本历史
修订版0.0
1.0版
初始版本
修正了拼写错误在1.1.3节;更换任何对Flash接口单元与Flash
内存模块;补充说明到VCAP引脚
更正
删除
在不必要的注意事项
校正的温度范围中
额外
ADC的校准信息
在新图
纠正2.2μF 〜0.1
μF
低ESR电容
更换
同
正确的参数为128封装的引脚。更正（ FOUT / 2） （ FOUT ）在
在纠正引出线标签
添加/ clarifing指出来
帮助澄清独立的程序闪存模块和
其他的程序闪存模式，澄清
修正数字输入电流低
（上拉使能）的数字
除去文字和表10-2 ;附注取代
to
更正
地址位置。
新增56F8155信息;编辑，以表明在56F8355和56F8155差异。再造林
纠结了飞思卡尔的外观和感觉。更新了温度传感器和ADC的表，然后
电气表的更新余额为整个家族的一致性。澄清I / O电源
在描述
补充说明，以
并澄清
增加了输出电压的最大值，并注意澄清
也整体拆除
预期寿命注意到，由于预期寿命取决于客户使用，且必须
通过可靠性工程确定。明确价值和计量单位的最大允许
P
D
in
注更正有关闪存数据保持在平均值
增加了新的符合RoHS标准的订购部件号
表13-1 。
更新
以反映最大的未校准增益误差的新价值
从引脚2组删除RSTO （上市后
对于Max环境中删除公式
工作温度（汽车）和最高工作环境温度（工业级）
in
增加了符合RoHS标准和“无铅”语言后盖。
补充资料/复位的过程中修正状态
澄清外部参考
晶振频率的PLL
通过增加最大值到8.4MHz 。
更换“三态” ，在国家中的解释在复位列
在纠正bootflash中的存储器映射布局
到16KB 。
•增加了以下注释的TMS信号的描述
注意：
总比分扳成TMS引脚到V
DD
通过2.2K电阻。
•增加了以下照会TRST信号的描述
注意：
对于正常的操作中，直接连接TRST到V
SS
。如果设计中要使用
调试环境， TRST可以连接到V
SS
通过一个1K的电阻。
变化的说明
修订版2.0
修订版3.0
修订版4.0
修订版5.0
修订版6.0
REV 7.0
修订版8.0
修订版9.0
修订版10.0
修订版11.0
启示录12
请参阅http://www.freescale.com的最新数据手册的修订。
56F8355技术数据，第12
2
飞思卡尔半导体公司
初步
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
