飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMG20271H
牧师0 ， 12/2010
增强型PHEMT
科技（ E-
-pHEMT ）
高线性度放大器
该MMG20271H是一种高动态范围，低噪声放大器MMIC ，收纳
采用QFN 3×3标准的塑料封装。它是理想的蜂窝， PCS ， LTE ，
TD - SCDMA ，W - CDMA基站，无线局域网等系统中的
一五〇〇年至2700年兆赫的频率范围。具有较高的OIP3和低噪声系数，它可以
被用作驱动器放大器的发射链和作为第二级LNA
在接收链
.
特点
•
频率： 1500--2700兆赫
•
噪声系数：2.7 dB的2140兆赫
•
P1dB为27.5 dBm的@ 2140 MHz的
•
小 - 信号增益：16 dB的2140兆赫
•
三阶输出截取点： 42 dBm的@ 2140 MHz的
•
单5伏电源
•
电源电流： 180毫安
•
50欧姆操作（需要一些外部匹配）
•
低成本QFN表面贴装封装
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000个单位，12个毫米磁带宽度， 7英寸的卷轴。
MMG20271HT1
1500-
-2700兆赫， 16分贝
27.5 dBm的
E-
-pHEMT
CASE 2131-
-01
QFN 3×3
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
噪声系数
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
小 - 信号增益
(S21)
功率输出@
1dB压缩
三阶输入
截取点
三阶输出
截取点
符号
NF
IRL
ORL
G
p
P1db
IIP3
OIP3
1500
兆赫
2.0
--16
--20
18
27
22
40
2140
兆赫
1.7
--14
--22
16
27.5
26
42
2700
兆赫
1.9
--17
--17
14
28
28
42
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
DD
I
DD
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
400
25
--65到150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
DD
= 5 VDC ，T
A
= 25 ° C， 50欧姆系统中，应用电路调谐
对于特定的频率。
表3.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度96 ° C， 5伏190毫安，没有RF应用
符号
R
θJC
价值
(3)
38
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MMG20271HT1
1
RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
