飞思卡尔半导体公司
超前信息
文档编号： MC34716
修订版3.0 ， 5/2007
1.0 MHz双通道开关模式DDR
电源
该34716是一款高度集成，空间效率，低成本，双
集成了N通道同步降压型开关稳压器
功率MOSFET。它是负载点的高性能（POL）功率
具有跟踪外部的能力的第二输出提供
基准电压。它提供了用于双精度型的完整的电源解决方案
数据速率（ DDR ）存储器。
通道1提供了源仅5.0驱动能力，而
通道的两个可吸收和提供高达3.0 A.两个通道高度
高效与严格的输出调节。凭借其高电流驱动
能力，信道1 ，可以用来提供在V
DDQ
对
内存的芯片组。第二通道的跟踪能力，参考
电压使其非常适用于提供终端电压（V
TT
）的
现代数据总线。在34716还提供了一个缓冲输出
参考电压（V
REFOUT
）到所述存储器芯片
在34716提供的设计者许多控制的灵活性，
监控和保护功能，以便轻松实现
的复杂的设计。它坐落在一个无铅，热增强型，
和节省空间的26引脚裸露焊盘QFN封装。
特点
• 50 m
Ω
集成的N沟道功率MOSFET
•输入电压工作范围从3.0 V至6.0 V
•
±1
％精确的输出电压，范围从0.7 V至3.6 V
•第二个输出1/2跟踪一个外部参考电压
•
±1
％精度缓冲基准输出电压
•可编程开关频率范围为200 kHz至
1.0兆赫
•对通道一个可编程的软启动时间
•超过电流限制和短路保护两个通道上
•热关断
•输出过压和欠压检测
•低电平有效的电源良好输出信号
•低电平有效的待机和关断输入
•无铅封装用后缀代码EP指定。
34716
3.0V至6.0V V
IN
34716
双开关模式DDR电源
供应
EP后缀
98ASA10728D
26引脚QFN
订购信息
设备
MC34716EP/R2
温度
范围（T
A
)
-40到85°C
包
26 QFN
VIN
V
DDQ
PVIN1
BOOT1
SW1
VOUT1
INV1
COMP1
PGND1
VDDI
频率
ILIM1
GND
PVIN2
VREFIN
BOOT2
SW2
VOUT2
INV2
COMP2
VREFOUT
PGND2
PG
STBY
SD
V
IN
V
DDQ
V
TT
VDDQ
终止
电阻器
DDR内存
调节器
DDR内存
芯片组
V
REF
内存总线
MCU
图1. 34716简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
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