电气特性
动态电气特性
动态电气特性
表4.动态电气特性
特征条件5.5 V下注意
≤
V
SUP
≤
27 V， - 40°C
≤
T
A
≤
125C ，GND = 0V ，除非另有说明。典型
注意值反映的近似参数是指在T
A
= 25℃下的额定条件，除非另有说明。
特征
时序（ REF图7 ）
TXD显性超时状态
公交车占主导地位的夹紧检测
传播环路延迟TXD到RXD ，隐性到显性
传播延迟TXD到CAN ，隐性到显性
传播延迟到RXD ，隐性到显性
传播环路延迟TXD到RXD ，显性到隐性
传播延迟TXD到CAN ，显性到隐性
传播延迟到RXD ，显性到隐性
循环时间TXD到RXD ，压摆率1（ P_SPI选择）
拍摄到的Dom
DOM来拍摄
循环时间TXD到RXD ，压摆率2（由P_SPI选择）
拍摄到的Dom
DOM来拍摄
状态机时间
外部唤醒滤波器时间
3脉冲模式唤醒 - 脉宽
V
差异
= 1.15 V ，TA = -40°C
V
差异
= 2.0 V ，TA = -40°C
V
差异
= 1.15 V ，25°C
≤
Ta
≤
125°C.
时间报告当地唤醒事件
时间报告可唤醒事件
设备状态转换时间（ P_SPI与静态模式变化的区别）
除了从待机状态并进入睡眠模式
从待机模式转换时间，任何模式
从去过渡时间睡觉睡眠模式（ «入睡»命令）
V
IO
低到睡眠模式时序
V
DD
低到CAN驱动器禁用时机
V
DD
低到稳压器禁用时机
伪SPI （ P_SPI ）时序
P_SPI操作频率
SCLK时钟高电平时间
SCLK时钟低电平时间
EN为STBY下降沿
落STBY边缘到EN
ERR上升时间
CL = 15 pF的
ERR下降时间
CL = 15 pF的
t
FSO
-
25
50
ns
频率
t
WSCLKh
t
WSCLKl
t
SISU
t
SIH
t
RSO
0.0625
0.125
0.125
40
40
-
-
-
-
-
-
25
4.0
8.0
8.0
-
-
50
兆赫
µs
µs
ns
ns
ns
t
LOC唤醒
代表
符号
民
典型值
最大
单位
t
DOUT
t
DOM
t
LRD
t
TRD
t
RRD
t
LDR
t
TDR
t
RDR
t
LOOPSL1
300
300
60
-
-
50
-
-
50
600
700
140
70
45
120
75
50
-
900
1000
210
110
140
200
150
140
310
µs
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
LOOPSL2
50
-
310
ns
t
WAKE
t
PWIDTH
-
2.5
2.0
2.0
-
-
8.0
-
-
-
-
-
10
-
-
-
35
25
-
35
35
10
10
50
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
-
-
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
ms
ms
ms
t
CAN唤醒
代表
t
DEV- TR
t
LP- NP
t
H
t
VIO- SLP
t
VDD - CANOFF
t
VDDoff
33902
8
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
