飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MC33879
修订版8.0 ， 10/2009
可配置8路串联开关
与负载开路检测电流
关闭
该33879设备是一个8输出的硬件配置，高侧/
低侧开关与16位串行输入控制。两个输出可
可以通过一个微处理器，用于PWM应用直接控制。该
33879采用SMARTMOS技术， CMOS逻辑，
双极/ MOS模拟电路和DMOS功率MOSFET。本33879
控制各种感性，白炽灯，或LED负载直接
与微控制器接口。该电路的新型监测
与保护功能包括极低的待机电流，级联
故障报告，内部+ 45V的钳位电压偏低的配置，
- 20 V的高侧配置中，输出特定的诊断，并
独立超温保护。
特点
•设计工作5.5 V < V
PWR
< 26.5 V
•16位SPI控制和故障报告， 3.3 V / 5.0 V兼容
•输出为电流限制（ 0.6 A至1.2 A）来驱动白炽灯
灯
•输出电压钳位， + 45 V（低压侧）， - 20 V （高端）
电感式开关时
•开路负载的开/关控制检测电流（ LED应用）
•在V内部电池反向保护
PWR
•地面或供应的消失，不通电负荷或损坏IC
•最大5.0
μA
I
PWR
待机电流13 V V
PWR
• R
DS （ ON）
0.75
Ω
在25 ° C典型
•短路检测和电流限制，自动重试
•独立超温保护
•无铅封装指定的后缀代码EK
VPWR
+5.0 V
33879
33879A
高侧/低侧开关
DWB后缀裸露焊盘
EK后缀（无铅）
98ARL10543D
32引脚SOICW
订购信息
设备
MC33879EK/R2
MCZ33879EK/R2
MCZ33879AEK/R2
-40
°
C至125
°
C
32 SOICW -EP
温度
范围（T
A
)
包
33879
VDD VPWR
EN
DI
SCLK
CS
DO
IN5
IN6
D1
D2
D3
D4
S1
S2
S3
S4
VBAT
MCU
A0
MOSI
SCLK
CS
MISO
PWM1
PWM2
高端驱动
M
D5
D6
D7
D8
S5
S6
S7
S8
H桥配置
VBAT
VBAT
低侧驱动器
GND
图1. 33879简化应用图
飞思卡尔半导体公司保留随时更改细节规格的权利，
视需要而定，以允许改善其产品的设计。
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