飞思卡尔半导体公司
超前信息
文档编号： MC33285
修订版5.0 ， 2/2007
双高端TMOS驱动器
一个单一的输入控制33285的驱动两个外部高压侧N-
频道TMOS功率FET控制白炽灯或感性
负载。脉宽调制（ PWM ）输入控制到1.0 kHz的是
可能。在33285中包含用于一个共同的内部电荷泵
提高两个FET的栅极电压。
一个外部充电电容器提供访问到电荷泵
输出。两个外部FET免受感性负载
瞬变通过独立的内部源极到栅极动态钳位。该
功率场效应管是由33285保护与短路延迟时间
800微秒。该设备被设计为能承受反极性电池
和负载突降瞬变，在汽车应用中遇到的。
特点
- PWM功能
•电源TMOS一号（ OUT1 ）短路检测和
短路保护
•电压范围7.0 V
≤
40 V
•扩展级温度范围从-40°C
≤
125°C
•负载突降保护
•过压检测和OUT2的激活过程
过压
•对于输出级单输入控制
•电容器100 nF的价值连接到引脚CP
•模拟输入控制测量检测
• OUT1负载泄漏计量检测
•无铅封装用后缀代码EF指定
33285
高端TMOS驱动器
ð后缀
EF后缀（无铅）
98ASB42564B
8针SOICN
订购信息
设备
MC33285D/R2
MCZ33285EF/R2
温度
范围（T
A
)
-40°C至125°C
包
8 SOICN
VCC
33285
VCC
CP
OUT2
DRN
VPWR
输入控制
IN
GND
OUT1
SRC
汽车
图1 。
简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
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