电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性(续)
特点指出的条件下, -40 ° C至+ 125
°C,
VBAT 5 V至28 V ,除非另有说明。典型值反映
在25 ° C,额定VCC ,大概平均在器件特征分析的时间。
特征
高端过流检测
(4)
低压侧的过电流检测
漏电流
输出级关闭
续流二极管正向电压
IOU = 3.0阿
续流二极管反向
恢复时间
IFM = 1.0 A, di / dt的= 4.0 A / μs的
关机温度
迟滞
输出状态标志(开漏输出)
输出高( SF未设置)
USF = 5.0 V
输出低电平( SF组)
ISF = 300 μA
定时
PWM频率
CCP = 33 nF的
最大开关频率在
电流限制
VBAT = 6 .... 28 V ..... ç
CP
= 33 nF的
输出ON延迟
IN1.....
& GT ;
OUT1或IN2 .....
& GT ;
OUT2
输出关断延时
IN1.....
& GT ;
OUT1或IN2 .....
& GT ;
OUT2
输出开关时间
中共= 0至33 nF的
OUTiH ..... OUTiL , OUTiL ..... OUTiH ,
IOUT = 3.0阿
关闭延迟时间
DII .....欧蒂
在过流的案例关闭或
过热
开机延迟时间(CCP = 33 ,NF)
(5)
t
DDIS
–
–
–
–
4.0
1.0
8.0
8.0
5.0
µs
µs
ms
t
r
, t
f
2.0
–
5.0
µs
t
DOFF
–
–
15
µs
t
DON
–
–
15
µs
f
–
–
20
千赫
f
–
–
10
千赫
VSF
–
–
1.0
V
I
SF
–
–
10
µA
160
20
–
–
190
30
°C
°C
t
RR
–
2.0
5.0
µs
U
D
–
–
2.0
V
–
–
100
µA
符号
I
OCHS
I
OCLS
民
11
8.0
典型值
–
–
最大
–
–
单位
A
笔记
4.如果过电流,时间,当电流大于7.8 A是低于30
µs,
以1kHz的最大频率。
5.该参数对应的时间时,上施加VBAT为中共达到其标称值。
33186
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
7