飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6P27160H
第2版， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2600到
2700兆赫。适用于WiMAX和无线宽带和多载波放大器应用。
使用在AB类和C类的WLL应用。
•
典型的单载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1800毫安，P
OUT
。 = 35瓦的魅力， F = 2660 MHz的IS - 95 CDMA （先导，同步，
寻呼，交通守则8 〜13 ） ，信道带宽= 1.2288兆赫，
PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 14.6分贝
漏极效率 - 22.6 ％
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 47.8 dBc的30 kHz带宽
•
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2650兆赫， 160瓦CW
输出功率
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
内部匹配的易用性
•
资格高达32 V ，最大
DD
手术
•
集成ESD保护
•
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6P27160HR6
2600- 2700兆赫， 35瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375D - 05 ，风格1
NI - 1230
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 〜+ 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C，为160W CW
外壳温度71 ° C， 35瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.29
0.31
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MRF6P27160HR6
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RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
