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型号: 222212018221
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内容描述: 射频功率场效应晶体管 [RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 16 页 / 813 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
(续)
特征
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 750毫安, P
OUT
= 28瓦的魅力。 , F = 920 MHz时,
单 - 载波W - CDMA , IQ幅度裁剪,输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 %的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 %的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
21.5
34.0
6.0
23.1
36.4
6.3
--35.5
--14
24.0
--32.5
--9
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的宽带性能
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 750毫安, P
OUT
= 28瓦平均,
单 - 载波W - CDMA , IQ幅度裁剪,输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 %的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
P
OUT
@ 1 dB压缩点, CW
IMD对称性@ 82 W¯¯ PEP ,P
OUT
其中, IMD三阶
30 dBc的
上层之间(三角洲IMD三阶互调
下边带> 2分贝)
VBW共振点
( IMD三阶互调拐点)
增益平坦度在40 MHz带宽@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
增益随温度变化
( --30C至+ 85C )
输出功率随温度变化
( --30C至+ 85C )
G
ps
( dB)的
23.1
23.1
22.8
P1dB
IMD
符号
η
D
(%)
36.4
36.4
36.6
PAR输出
( dB)的
6.3
6.2
6.1
100
20
ACPR
( DBC)
--35.5
--36.1
--35.8
IRL
( dB)的
--14
--22
--17
W
兆赫
典型的表演
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 750毫安, 920--960 MHz带宽
VBW
水库
G
F
∆G
∆P1dB
80
0.3
0.02
0.004
兆赫
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
典型的宽带性能 - 880 MHz的
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 750毫安, P
OUT
= 28瓦平均,
单 - 载波W - CDMA , IQ幅度裁剪,输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 %的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
865兆赫
880兆赫
895兆赫
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
( dB)的
22.9
23.0
22.8
η
D
(%)
35.4
35.5
35.6
PAR输出
( dB)的
6.4
6.2
6.0
ACPR
( DBC)
--34.7
--35.1
--35.7
IRL
( dB)的
--15
--23
--19
MRF8S9102NR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3