飞思卡尔半导体公司
技术参数
MW4IC001MR4
第3版， 1/2005
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW4IC001宽带集成电路被设计用作失真
签名设备在模拟预失真系统。它采用飞思卡尔最新的
高电压（ 26 〜28伏特） LDMOS IC技术。其宽带片上
的设计使得它可用于从800MHz到2170MHz的。线性演出
覆盖所有的调制对于蜂窝应用： GSM EDGE ，TDMA，CDMA和
W¯¯ - CDMA 。
•
在2170兆赫， 28伏典型CW性能，我
DQ
= 12毫安
输出功率 - 900毫瓦PEP
功率增益 - 13分贝
效率 - 38 ％
•
高增益，高效率和高线性度
•
专为最大增益和插入相位平坦度
•
优良的热稳定性
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
ñ后缀表示铅 - 免费端接
•
在磁带和卷轴。 R4后缀=每12mm时， 7英寸卷轴100个单位。
MW4IC001NR4
MW4IC001MR4
800 - 2170兆赫， 900毫瓦， 28 V
W¯¯ - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
4.58
0.037
- 65 〜+ 150
150
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳@ 85°C
符号
R
θJC
价值
27.3
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
0 （最低）
M1 （最低）
C2 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
