飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S4140H
第2版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店从400到500兆赫。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器的应用
系统蒸发散在28伏基站设备。
•
典型的单载波N - CDMA性能@ 465 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1250毫安，P
OUT
。 = 28瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 〜13 ） 。信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 21分贝
漏极效率 - 30 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 47.6 dBc的30 kHz带宽
•
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 465兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
内部匹配的易用性
•
资格高达32 V ，最大
DD
手术
•
集成ESD保护
•
低热阻封装
•
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF5S4140HR3
MRF5S4140HSR3
465兆赫， 28瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF5S4140HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF5S4140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
427
2.4
- 65 〜+ 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度73 ° C， 140瓦特CW
外壳温度74 ° C， 28瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.41
0.47
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
1
RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
