飞思卡尔半导体公司
技术参数
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终端。
文档编号： MRFG35005MT1
第3版，第1/2006号
MRFG35005MT1
3.5千兆赫， 4.5 W， 12 V
功率场效应管
砷化镓PHEMT
砷化镓PHEMT
射频功率场效应晶体管
专为WLL / MMDS / BWA或UMTS的驱动程序与应用程序的频率
从1.8到3.6 GHz的。设备是无法比拟的，适合于AB类使用
线性基站应用。
•
典型W¯¯ - CDMA性能： - 42 dBc的ACPR ， 3.55千兆赫， 12伏，
I
DQ
= 80 mA时， 5 MHz偏移/ 3.84 MHz带宽， 64 DPCH （ 8.5分贝P / A
@ 0.01％的概率）
输出功率 - 450 mWatt
功率增益 - 11分贝
效率 - 25 ％
•
4.5瓦特的P1dB @ 3.55 GHz的
•
出色的相位线性度和群时延特性
•
高增益，高效率和高线性度
•
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
档案信息
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
栅 - 源电压
RF输入功率
存储温度范围
通道温度
(1)
工作温度范围
符号
V
DSS
P
D
V
GS
P
in
T
英镑
T
ch
T
C
价值
15
10.5
(2)
0.07
(2)
-5
30
- 65 〜+ 150
175
- 20 〜+ 85
单位
VDC
W
W / ℃，
VDC
DBM
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
CLASS AB
符号
R
θJC
价值
14.2
(2)
单位
° C / W
表3.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
1.对于运行可靠，操作通道温度不应超过150 ℃。
2.模拟。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRFG35005MT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
