飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW4IC2230N
牧师6 ， 5/2006
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW4IC2230N宽带集成电路适用于W - CDMA
基站应用。它采用飞思卡尔最新的高压（ 26 〜28
伏） LDMOS IC技术，并集成了多 - 级结构。其
宽带片上的设计使得它可以使用1600至2400年兆赫。线性
演出涵盖所有调制的蜂窝应用： GSM ， GSM
EDGE ， TDMA ， CDMA和W - CDMA 。
最终的应用
•
典型的单 - 载波W - CDMA性能：
V
DD
= 28伏，我
DQ1
=
60毫安，我
DQ2
= 350毫安， P
OUT
= 5瓦的魅力。 ， F = 2140 MHz的信道
带宽= 3.84 MHz时， PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率在CCDF 。
功率增益 - 31分贝
漏极效率 - 15 ％
ACPR @ 5 MHz的= - 45 dBc的在3.84 MHz的带宽
驱动器应用
•
典型的单 - 载波W - CDMA性能：
V
DD
= 28伏，我
DQ1
=
60毫安，我
DQ2
= 350毫安， P
OUT
= 0.4瓦的魅力。 ， F = 2140 MHz的信道
带宽= 3.84 MHz时， PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率在CCDF 。
功率增益 - 31.5分贝
ACPR @ 5 MHz的= - 53.5 dBc的在3.84 MHz的带宽
•
能够处理3 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2170兆赫， 5瓦CW
输出功率
•
稳定到一个3:1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 10毫瓦至5 W CW
P
OUT
.
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >5欧姆输出）
•
集成的静态电流温度补偿
启用/禁用功能
•
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
•
集成ESD保护
•
200℃有能力塑料包装
•
ñ后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
•
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米500台， 13英寸的卷轴
MW4IC2230NBR1
MW4IC2230GNBR1
2110年至2170年兆赫， 30 W， 28 V
单W¯¯ - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW4IC2230NBR1
CASE 1329A - 03
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MW4IC2230GNBR1
V
RD1
V
RG1
V
DS2
V
DS1
GND
V
DS2
V
RD1
V
RG1
V
DS1
3阶段我
C
RF
in
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
14
V
DS3/
RF
OUT
RF
in
V
DS3
/ RF
OUT
V
GS1
V
GS2
V
GS3
V
GS1
V
GS2
V
GS3
GND
13
12
（ TOP VIEW ）
GND
静态电流
温度补偿
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 ，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
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飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MW4IC2230NBR1 MW4IC2230GNBR1
1
RF设备数据
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