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C5750X5R1H106M 参数 Datasheet PDF下载

C5750X5R1H106M图片预览
型号: C5750X5R1H106M
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内容描述: 射频功率场效应晶体管 [RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 16 页 / 808 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 750 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on),
10% Duty Cycle
57
56
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
P
in
, INPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
f
(MHz)
920
940
960
P1dB
Watts
158
162
158
dBm
52.0
52.1
52.0
195
195
195
P3dB
Watts
dBm
52.9
52.9
52.9
920 MHz
960 MHz
940 MHz
940 MHz
960 MHz
920 MHz
Actual
Ideal
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
920
940
960
P1dB
P1dB
P1dB
Z
source
1.60 -- j2.77
2.03 -- j3.36
2.33 -- j3.55
Z
load
8.80 -- j0.18
9.34 + j1.58
8.42 + j3.05
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
MRF8S9102NR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor