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    C1812C224K5RAC 参数 Datasheet PDF下载

    C1812C224K5RAC图片预览
    型号： C1812C224K5RAC
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    内容描述： 射频功率场 - 效果晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field--Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管射频
    文件页数/大小： 18 页 / 1498 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号C1812C224K5RAC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号C1812C224K5RAC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号C1812C224K5RAC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号C1812C224K5RAC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号C1812C224K5RAC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号C1812C224K5RAC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号C1812C224K5RAC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号C1812C224K5RAC的Datasheet PDF文件第9页  
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    MRF6V2150N/NB
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    Figure 3. MRF6V2150NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout — 220 MHz
    MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1
    4
    RF Device Data
    Freescale Semiconductor

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