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    ATC200B103KT50XT 参数 Datasheet PDF下载

    ATC200B103KT50XT图片预览
    型号： ATC200B103KT50XT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET [RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
    文件页数/大小： 19 页 / 1443 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号ATC200B103KT50XT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ATC200B103KT50XT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ATC200B103KT50XT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ATC200B103KT50XT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ATC200B103KT50XT的Datasheet PDF文件第10页浏览型号ATC200B103KT50XT的Datasheet PDF文件第11页浏览型号ATC200B103KT50XT的Datasheet PDF文件第12页浏览型号ATC200B103KT50XT的Datasheet PDF文件第13页  
    Z
    source
    f = 225 MHz
    Z
    o
    = 10
    Ω
    Z
    load
    f = 225 MHz
    V
    DD
    = 50 Vdc, I
    DQ
    = 2600 mA, P
    out
    = 125 W Avg.
    f
    MHz
    225
    Z
    source
    Ω
    1.42 + j8.09
    Z
    load
    Ω
    4.45 + j1.16
    Z
    source
    = Test circuit impedance as measured from
    gate to gate, balanced configuration.
    Z
    load
    = Test circuit impedance as measured from
    drain to drain, balanced configuration.
    Input
    Matching
    Network
    +
    Device
    Under
    Test
    --
    Output
    Matching
    Network
    --
    Z
    source
    Z
    +
    load
    Figure 20. Series Equivalent Source and Load Impedance
    MRF6VP2600HR6
    RF Device Data
    Freescale Semiconductor
    9

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