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ATC100B4R3BT500XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100B4R3BT500XT图片预览
型号: ATC100B4R3BT500XT
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内容描述: 射频功率场效应晶体管 [RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 16 页 / 813 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W (Avg.), I
DQ
= 750 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
27
26
25
G
ps
, POWER GAIN (dB)
24
23
22
21
20
19
18
17
820
ACPR
IRL
840
860
880
900
920
940
960
η
D
G
ps
Input Signal PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
PARC
40
38
36
34
32
--36
--36.5
ACPR (dBc)
--37
--37.5
--38
--38.5
980
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
0
--5
--10
--15
--20
--25
--0.5
--0.8
--1.1
--1.4
--1.7
--2
PARC (dB)
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak- -Average Ratio Compression (PARC)
-to-
Broadband Performance @ P
out
= 28 Watts Avg.
--10
--20
--30
--40
--50
--60
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 82 W (PEP), I
DQ
= 750 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 940 MHz
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
1
10
TWO--TONE SPACING (MHz)
IM7--U
100
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two-
-Tone Spacing
24
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
23.5
G
ps
, POWER GAIN (dB)
23
22.5
22
21.5
21
2
60
η
D
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
50
40
30
--1 dB = 25 W
--2 dB = 35 W
PARC
10
20
30
40
50
60
G
ps
--3 dB = 48 W
20
10
0
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
ACPR (dBc)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 750 mA, f = 940 MHz, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
1 PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
0
--1
--2
--3
--4
ACPR
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. Output Peak- -Average Ratio
-to-
Compression (PARC) versus Output Power
MRF8S9102NR3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
5