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ATC100B241JT500XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100B241JT500XT图片预览
型号: ATC100B241JT500XT
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内容描述: 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 15 页 / 822 K
品牌: FREESCALE [ Freescale ]
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Z = 2 Ω  
o
f = 450 MHz  
Z
source  
f = 450 MHz  
Z
load  
V
= 50 Vdc, I = 900 mA, P = 300 W CW  
DQ out  
DD  
f
Z
Z
load  
source  
MHz  
450  
0.39 + j1.26  
1.27 + j0.96  
Z
Z
=
Test circuit impedance as measured from  
gate to ground.  
source  
=
Test circuit impedance as measured from  
drain to ground.  
load  
Output  
Matching  
Network  
Device  
Under  
Test  
Input  
Matching  
Network  
Z
Z
source  
load  
Figure 14. Series Equivalent Source and Load Impedance  
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
7
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