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    5093NW20R00J 参数 Datasheet PDF下载

    5093NW20R00J图片预览
    型号： 5093NW20R00J
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET [RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
    文件页数/大小： 19 页 / 1443 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号5093NW20R00J的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5093NW20R00J的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5093NW20R00J的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5093NW20R00J的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5093NW20R00J的Datasheet PDF文件第9页浏览型号5093NW20R00J的Datasheet PDF文件第10页浏览型号5093NW20R00J的Datasheet PDF文件第11页浏览型号5093NW20R00J的Datasheet PDF文件第12页  
    TYPICAL CHARACTERISTICS
    10
    9
    10
    8
    MTTF (HOURS)
    10
    7
    10
    6
    10
    5
    90
    110
    130
    150
    170
    190
    210
    230
    250
    T
    J
    , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
    This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
    is operated at V
    DD
    = 50 Vdc, P
    out
    = 125 W Avg., and
    η
    D
    = 28.5%.
    MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
    Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
    calculators by product.
    Figure 19. MTTF versus Junction Temperature - CW
    -
    MRF6VP2600HR6
    8
    RF Device Data
    Freescale Semiconductor

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