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08051J1R2BBT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 08051J1R2BBT
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内容描述: 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 [Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 12 页 / 126 K
品牌: FREESCALE [ Freescale ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS  
−10  
−10  
−20  
IRL  
−20  
−30  
−40  
−50  
−60  
V
= 12 Vdc, I = 85 mA  
DQ  
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP W−CDMA  
DS  
−30  
−40  
−50  
−60  
Γ = 0.868é−115.15_, Γ = 0.764é−139.11_  
S
L
ACPR  
0.01  
0.1  
, OUTPUT POWER (WATTS)  
1
P
out  
Figure 3. W-CDMA ACPR and Input Return  
Loss versus Output Power  
20  
17.5  
15  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
PAE  
V
= 12 Vdc, I = 85 mA  
DQ  
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP W−CDMA  
DS  
Γ = 0.868é−115.18_, Γ = 0.764é−139.11_  
S
L
G
12.5  
10  
T
7.5  
5
2.5  
0
5
0
0.01  
0.1  
, OUTPUT POWER (WATTS)  
1
P
out  
Figure 4. Transducer Gain and Power Added  
Efficiency versus Output Power  
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS andΓL are the impedances presented to the DUT.  
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.  
MRFG35005MT1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
5
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