CMOS低压降稳压器
功能框图
FSP2114
IN
当前
SENSE
OUT
热
关闭
参考
&偏差
G
功能说明
该FSP2114是低静态电流消耗高性能LDO 。如图所示，在上面的图中，
功能框图，该FSP2114架构集成了基准和偏置电路，误差放大器，
反馈电压的电阻分压器， 2Ω P-沟道功率MOSFET的导通晶体管和限流器。
电压调节
通常情况下， LDO的误差放大器的输出的反馈电压（通过电阻分压器）与基准进行比较
电压，并产生用于驱动所述P沟道功率MOSFET的误差信号。当输出电压
比所需要的值时， P沟道被驱动，以保持调节。当输出电压较低
比所需要的数值时，P沟道导通，使输出到其所需的值。这种负反馈
机构产生一个恒定的调节输出电压。
电流限制
当输出电流是在电流限制值时，限流电路防止电流从输出
进一步增加。这个电流限制值通常400毫安为大于2V的输出电压更高，并且减少了对
较低的输出电压部分（见典型性能特性） 。作为输出电压下降时，电流
限值折返渐渐地，最终在0V达到100mA电流。
应用信息
输入电容
任何优质电容1μF以上的值可作为一个输入电容为这个LDO 。连接
输入电容尽可能靠近的IN和G越好。陶瓷电容具有更好的性能和更低的ESR
（等效串联电阻）比其它类型的电容器，并且被推荐。
输出电容
该
FSP2114需要LDO的输出电容即可稳定工作。该电容应连接尽可能靠近OUT
和G尽可能最大化设备的性能。的输出电容和ESR的范围为稳定
显示在稳C的地区
OUT
ESR与输出电流曲线图典型性能特征。
但是，为了确保该设备的最佳性能，在输出电容器应该具有的最小电容
1μF ，并为10mΩ和500MΩ之间的ESR值。高品质陶瓷电容X7R或X5R电介质
类型强烈推荐。
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2007-5-18
FOSLINK [ FOSLINK SEMICONDUCTOR CO.,LTD ]
