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    IKY75N120CS6

     TRENCHSTOP™ IGBT6
    双极性晶体管
    0 INFINEON

    NFAM5065L4B

     智能功率模块，SPM31，600V，50A
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    0 ONSEMI

    GCM21BR71H223JA37#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
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    ICM-42605

     IMU (惯性测量设备)
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    GRT155R60J684KE01#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
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    BD63510AEFV

     BD63510AEFV是适用于1/16µ-step的步进电机驱动器。作为基本功能，是低功耗双极PWM恒流驱动器，额定电源为36V、额定输出电流(DC)为1.0A，接口为CLK-IN驱动型。通过内置DAC，励磁模式适用于Full step (2相励磁)、Half step (1-2相励磁)、Quarter step (W1-2 相励磁)、Sixteenth step (4W1-2相励磁）模式，对于电流衰减方式，可自由设定FAST DECAY/SLOW DECAY的比率，可对所有电机实现很好的控制状态。另外，也可使用一个系统电源进行驱动，因此有助于提高整机设计的便利性。
    电机驱动驱动器
    0 ROHM

    GRM1551X1E3R8BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    BTS71040-4ESP

     The device is integrated in SMART7 technology.
    暂无信息
    0 INFINEON

    IRS2003S

     200 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。
    驱动光电二极管驱动器
    0 INFINEON

    IMZA120R020M1H

     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
    开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    0 INFINEON

    GCM2165C2A431GA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    10-PZ12NMA080SH01-M260FY

     Easy paralleling;High speed switching;Low switching losses
    暂无信息
    0 VINCOTECH

    PMEG4010CEGW

     40 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction
    暂无信息
    0 NEXPERIA

    GRM32MR71H394JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    GJM0335C1E5R4CB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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