费尔多尼克
固态
特点
LPV1500
1 W功率PHEMT
漏
漏
•
•
•
•
•
•
31.5 dBm的典型功率在18 GHz的
8.5分贝典型功率增益为18 GHz的
+27 dBm的电压为3.3V电池电压
+45 dBm的典型截取点
50％的功率附加效率为18 GHz的
镀源直通通孔
来源
门
DIE SIZE ： 16.5 X 16.1密耳（ 420 X 410
µm)
管芯厚度： 3.0密耳（ 75
µm
TYP 。 ）
焊垫： 1.9× 2.4密耳（ 50× 60
µm
TYP 。 ）
说明与应用
该LPV1500是砷化铝镓/砷化铟镓（ AlGaAs构成/砷化铟镓）假晶高
电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束直写0.25
µm
1500
µm
肖特基势垒门。
凹“蘑菇”门结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。在外延结构
与处理进行了优化，可靠的高功率应用。该LP1V500还具有硅
3
N
4
钝化
并且是在一个带凸缘的陶瓷封装（P100 ）可用。该LPV1500特点源镀通孔的改进
性能。
典型的应用包括商用和军用高性能的功率放大器，其中包括卫星通信上行
变送器， PCS /蜂窝低压高效率输出放大器，以及中程数字无线电发射机。该
LP1500可以购买的各种等级的，这取决于具体的用户要求。标准手筛查
MIL- STD- 19500 ， JANC年级以后图案。航天级筛选FSS JANS级也可以。
性能规格（T
A
= 25°C)
符号
I
DSS
P
1dB
G
1dB
IP3
η
添加
I
最大
G
M
V
P
I
GSO
BV
GS
BV
GD
Θ
J
参数
饱和漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
在1分贝增益压缩输出功率
f
= 18 GHz的
V
DS
= 8.0V ，我
DS
= 50% I
DSS
功率增益为1分贝增益压缩
f
= 18 GHz的
V
DS
= 8.0V ，我
DS
= 50% I
DSS
输出三阶截铂。 V
DS
= 8V ，我
DS
= 40% I
DSS
,
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= +1V
跨
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
捏-O FF电压
V
DS
= 2V我
DS
= 5毫安
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= -5V
栅源击穿电压
I
GS
= 8毫安
栅极 - 漏极击穿电压
I
GD
= 8毫安
热敏电阻
民
375
典型值
490
最大
600
单位
mA
30.0
6.5
31.5
8.5
45
50
925
450
-1.2
10
-15
-16
45
DBM
dB
DBM
%
mA
mS
V
µA
V
V
° C / W
350
-0.25
-12
-12
-2.0
75
DSS -041 WA
电话：
(408) 988-1845
互联网：
传真：
(408) 970-9950
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
