H
室内运动场
P
ERFORMANCE
pHEMT制
•
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
测试条件
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
—
T
环境
= 22
±
3
°C
-65
民
最大
8
-3
2xI
DSS
10
100
175
175
550
单位
V
V
mA
mA
mW
ºC
ºC
mW
LPD200
注意事项：
•
经营超过绝对最大额定值条件下可能导致器件的永久性损坏。
•
功耗定义为：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中，
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
•
绝对最大功耗要降额如下高于25 ° C：
P
合计
= 550MW - （ 3.7mW / ° C）控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度。
•
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些装置应被视为1A类（ 0-500 Ⅴ） 。在ESD控制的更多信息
措施可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
装配说明
推荐的芯片附着是在氮气氛下金/锡共晶焊料。舞台
温度应为280-290 ℃;在该温度下的最大时间为一分钟。推荐
引线键合方法是用0.7或1.0密耳（ 0.018或0.025毫米）热压楔焊
金线。阶段的温度应该是250-260 ℃。
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。
•
•
所有信息和规格如有变更，恕不另行通知。
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/22/01
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
