U
LTRA
L
OW
N
OISE
pHEMT制
•
特点
♦
0.6分贝噪声系数为12 GHz的
♦
12分贝相关的增益为12 GHz的
♦
低DC功耗
♦
出色的相位噪声
漏
BOND
PAD （2X）
门
BOND
PAD （2X）
LP7512
来源
BOND
PAD （2X）
DIE SIZE ： 18.0X13.0密耳（ 460x330
µm)
管芯厚度： 3.9密耳（ 100
µm)
焊盘： 1.9X1.9密尔（ 50×50
µm)
•
说明与应用
该LP7512是一个铝镓砷/铟镓砷（ AlGaAs构成/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束指示按
写0.25
µm
200
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”栅结构最小化
寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构和处理已经
超低噪声和可用增益到40 GHz优化。该LP7512还具有硅
3
N
4
钝化，并提供多种封装形式。
典型的应用包括低噪声接收机前置放大器用于商业应用，包括
无线系统和无线链路系统。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
°
参数
饱和漏源电流
噪声系数
最小相关增益
NF
跨
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 漏极漏电
捏-O FF电压
热敏电阻
频率= 18 GHz的
符号
I
DSS
NF
G
A
G
M
I
GSO
I
GDO
V
P
Θ
JC
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 25% I
DSS
; F = 12 GHz的
F = 18 GHz的
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 25% I
DSS
; F = 12 GHz的
F = 18 GHz的
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
GD
= -3 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 1毫安
-0.25
9
7.5
60
民
15
典型值
35
0.6
1.0
10
8.5
90
1
1
-0.8
325
10
10
-1.5
最大
50
0.9
1.4
单位
mA
dB
dB
dB
dB
mS
µA
µA
V
° C / W
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/18/01
电子邮件：
sales@filss.com
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