P
包装运输
U
LTRA
L
OW
N
OISE
pHEMT制
•
特点
♦
0.7分贝噪声系数为12 GHz的
♦
12分贝相关的增益为12 GHz的
♦
0.4分贝噪声系数在2GHz
♦
18分贝相关的增益在2 GHz
♦
低DC功耗： 30mW的
LP7512P70
•
说明与应用
该LP7512P70是封装铝砷化镓/铟镓砷化物
（铝镓砷/铟镓砷）假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用一
电子束直写0.25
µm
200
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”
钛/铂/金栅结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。在外延结构
与处理进行了优化，以获得最佳的低噪声性能。该LP7512的活跃
区域钝化与思
3
N
4
和P70陶瓷封装是理想的低成本，高性能的
应用程序需要的表面贴装封装。
典型的应用包括无线系统中的低噪声接收前置放大器。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C*
°
参数
饱和漏源电流**
噪声系数
最低NF相关的增益
跨
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 漏极漏电
符号
I
DSS
NF
G
A
G
M
I
GSO
I
GDO
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
GS
= -3 V
-0.2
11
60
民
15
0.7
12
90
1
1
-0.4
15
15
-1.5
典型值
最大
30
1.0
单位
mA
dB
dB
mS
µA
µA
V
捏-O FF电压
V
P
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 1毫安
*频率= 18千兆赫，除非另有说明
**原名分级为： LP7512P70-1 = 15-30 mA和LP7512P70-2 = 31-50毫安
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/20/01
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
