LP750P100
P
包装运输
0.5 W
ATT
P
OWER
pHEMT制
•
特点
♦
♦
♦
♦
♦
•
41 dBm的IP3为12 GHz的
27.5 dBm的P- 1分贝在12GHz
10.5分贝功率增益为12 GHz的
2.5分贝噪声系数为12 GHz的
60％的功率附加效率
说明与应用
该LP750P100是封装铝砷化镓/铟镓砷化物
（铝镓砷/铟镓砷）假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用一
电子束直写0.25
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”门结构
最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构及加工有
经过优化，可靠的高功率/低噪声应用。该LP750还具有硅
3
N
4
钝化和裸片形式或表面贴装封装。
该LP750P100是专为中等功率，线性放大。此装置适用于
应用在商业和军事环境中，并且它适合于用作介质
在卫星通信上行链路发射功率晶体管，中程数字无线电发射器， PCS高
效率的放大器，和WLL系统。
•
电气规格@ T
环境
= 22 ± 3 °C
参数
输出功率@
1 dB压缩
功率增益@
1 dB压缩
最大可用增益
噪声系数
功率附加英法fi效率
输出截获点
饱和漏源电流
跨
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
栅源击穿
电压幅值
栅源漏
电流幅值
符号
P
1dB
G
1dB
MAG
NF
η
IP
3
I
DSS
G
M
V
P
|V
BDGD
|
|V
BDGS
|
|I
GSL
|
测试条件
F = 12GHz的; V
DS
= 8V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 12GHz的; V
DS
= 8V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 12GHz的; V
DS
= 8V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 12GHz的; V
DS
= 5V ;我
DS
= 33% I
DSS
F = 12GHz的; V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= 25dBm的
F = 12GHz的; V
DS
= 8V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= 10dBm的
V
DS
= 2V; V
GS
= 0V
V
DS
= 2V; V
GS
= 0V
V
DS
= 2V ;我
DS
= 4毫安
I
GD
= 4毫安
I
GS
= 4毫安
V
GS
= -5V
180
230
-2.0
12
12
280
-1.2
15
16
5
45
-0.25
民
26.0
9.0
典型值
27.5
10.5
14.0
2.5
60
41
265
最大
单位
DBM
dB
dB
dB
%
DBM
mA
mS
V
V
V
µA
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filtronicsolidstate.com
修改后：
03/02/01
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
