初步数据表
LP6836SOT343
P
包装运输
M
EDIUM
P
OWER
pHEMT制
•
特点
♦
0.5分贝噪声系数在2GHz
♦
19 dBm的P- 1分贝2 GHz时， 19 dBm的在6GHz
♦
20分贝功率增益在2 GHz ， 10分贝在6GHz
♦
70％的功率附加效率
•
说明与应用
该LP6836SOT343是一个打包的AlGaAs /砷化铟镓/铝镓砷伪形态高电子迁移率
晶体管（ pHEMT制），用于需要中等输出功率和/或高动态应用
范围内。
它采用0.25
µm
x 360
µm
肖特基势垒栅，由电子束定义
光刻。该LP6836的活跃区域钝化与思
3
N
4
和SOT343 （也
被称为SC-70 ）封装是理想的低成本的，即需要一个surface-高性能应用
贴装封装。
该LP6836SOT343是专为商业系统用于低噪声放大器和
振荡器工作在射频和微波频率范围。低噪声系数使得它
适合于在微波系统和GPS接收器的使用。此装置也适合作为一个驱动级
WLAN和ISM频段扩频应用。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
°
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益为1分贝
压缩
功率附加英法fi效率
噪声系数
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
NF
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
F = 2GHz的; V
DS
= 3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 2GHz的; V
DS
= 3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 2GHz的; V
DS
= 3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= 19.5 dBm的
F = 2GHz的; V
DS
= 3V ;我
DS
= 25% I
DSS
F = 2GHz的; V
DS
= 3V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 2毫安
I
GS
= 2毫安
I
GD
= 2毫安
-0.25
11
12
15
16
75
民
80
18
18
19
20
70
0.5
0.7
100
1
10
-2.0
典型值
最大
125
单位
mA
DBM
dB
%
dB
dB
mS
µA
V
V
V
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/20/01
电子邮件：
sales@filss.com
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