P
包装运输
1W P
OWER
pHEMT制
•
特点
♦
31 dBm的输出功率，在1dB压缩在15 GHz的
♦
9分贝功率增益为15 GHz的
♦
42 dBm的输出IP3为15GHz
♦
60％的功率附加效率
LP1500P100
•
说明与应用
该LP1500P100是封装铝砷化镓/铟镓砷化物
（铝镓砷/铟镓砷）伪形态高电子迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它利用了
0.25
µm
x 1500
µm
肖特基势垒栅，通过电子束光刻法限定。凹陷
“蘑菇”门结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延
结构和处理进行了优化，可靠的高功率应用。该LP1500还
特色氮化硅钝化和裸片形式或以其它封装。
该LP1500P100是专为中等功率，线性放大。此装置适用于
应用在商业和军事环境中，并且它适合于用作介质
在卫星通信上行链路发射功率晶体管，中程数字无线电发射器， PCS高
效率的放大器，和WLL系统。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
°
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
输出三阶截取点
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
频率= 15 GHz的
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
IP3
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
IN
= 17 dBm的
V
DS
= 8V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
IN
= 10 dBm的
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 5毫安
I
GS
= 8毫安
I
GD
= 8毫安
-0.25
-12
-12
300
民
375
29.5
8
典型值
490
31
9
60
42
925
400
10
-1.2
-15
-16
100
-2.0
最大
600
单位
mA
DBM
dB
%
DBM
mA
mS
µA
V
V
V
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/20/01
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
