0.5W P
OWER P
HEMT
•
特点
♦
在12 GHz的27 dBm的线性输出功率
♦
11.5分贝功率增益为12 GHz的
♦
14.5分贝最大稳定增益为12 GHz的
♦
38 dBm的输出IP3
♦
50％的功率附加效率
漏
BOND
PAD （2X）
来源
BOND
PAD （2X）
门
BOND
PAD （2X）
DIE SIZE （微米） ： 340 X 470
管芯厚度： 75
µm
焊盘（微米） ： >60 ×60
FPD750
•
说明与应用
该FPD750是铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）
配备了0.25
µm
750
µm
肖特基势垒门，通过高分辨率的步进为基础的定义
光刻。凹陷和偏移栅结构最大限度地减少寄生效应，优化
性能。外延结构和处理进行了优化，可靠的高功率
应用程序。该FPD750还具有硅
3
N
4
钝化，并且可以在P100法兰瓷
包，并在成本低的塑料SOT89和SOT343塑料封装。
典型的应用包括商业和其他窄带和宽带高性能
放大器，其中包括卫星通信上行链路发射器， PCS /蜂窝低压高效率输出
放大器和中程数字无线电发射机。
•
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
最大稳定增益（S
21
/S
12
)
功率增益为P
1dB
功率附加英法fi效率
输出三阶截取点
（从下面P 15 5分贝
1dB
)
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻系数（见注）
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
θ
JC
符号
P
1dB
SSG
G
1dB
PAE
IP3
测试条件
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= P
1dB
V
DS
= 10V ;我
DS
= 50% I
DSS
匹配的最佳动力
调整为最佳的IP3
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
≅
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 0.75毫安
I
GS
= 0.75毫安
I
GD
= 0.75毫安
V
DS
> 6V
12.0
14.5
185
38
40
230
370
200
10
1.0
14.0
16.0
65
280
mA
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
DBM
民
26.5
13.5
10.5
典型值
27.0
14.5
11.5
45
最大
单位
DBM
dB
dB
%
射频指标测量
f
= 12 GHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
11/17/04
电子邮件：
sales@filcsi.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
