FPD2250
数据手册V3.0
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
GaAs器件是脆弱的，应该
非常小心处理。特别设计的
夹头应该尽可能使用。
推荐的模具高度是金/锡
在氮气氛下的共晶焊料。
阶段的温度应该是280-290 ℃;
在该温度下的最大时间为一分钟。
推荐的引线键合方法
用0.7热压楔焊
或1.0密耳（ 0.018或0.025毫米）金线。
阶段的温度应该是250-260 ℃。
O
RDERING
I
载文信息
:
P
艺术
N
棕土
FPD2250
D
ESCRIPTION
DIE
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
为了避免损坏器件护理应
在处理过程中行使。
正确
静电放电（ ESD ）注意事项
应于存储的所有阶段都可以观察到，
搬运，组装和测试。
这些
设备应被视为0级（ 0-250 V）的
作为JEDEC标准第22号- A114定义。
在ESD控制措施的进一步信息
可在MIL -STD- 1686和MIL-找到
HDBK-263.
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器; ð
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数和设备模型可
根据要求提供。
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
3
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
